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光电二极管

已选
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • OSD35-LR-D 光电二极管

    OSD35-LR-D

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-HR026 光电二极管

    PIN-HR026

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN HR026是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为2.6 PF，暗电流为0.1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.9 ns.有关引脚HR026的更多详细信息，请联系我们。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管

    APD02-8-150-T52

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • OSI-515 光电二极管

    OSI-515

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSI-515是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.OSI-515的更多详细信息见下文。

  • PIN-3CDI 光电二极管

    PIN-3CDI

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 to 45 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-3CDI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12至45 PF，暗电流为0.15至2 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为10 ns.有关PIN-3CDI的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-20 光电二极管

    DLS-20

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为580至725 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1μs.有关DLS-20的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD60-5T 光电二极管

    OSD60-5T

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为1800 PF，暗电流为25 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为30μs.有关OSD60-5T的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-220DP 光电二极管

    PIN-220DP

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20000 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-220DP是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为20000 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为2200 ns.有关PIN-220DP的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-10AP-1 光电二极管

    PIN-10AP-1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.15μs.有关引脚10AP-1的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管

    UV-100DQ

    美国
    分类：光电二极管
    ?？? Yes 光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1100 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3μs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75LCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-75LCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-016HRL 光电二极管

    FCI-125G-016HRL

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 响应度/光敏度: 0.36 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75ACER 光电二极管

    FCI-InGaAs-75ACER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-3000-X 光电二极管

    FCI-InGaAs-3000-X

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-3000-X是一种波长范围为900至1700 nm、电容为750至1800 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。FCI-InGaAs-3000-X的更多详细信息可参见下文。

  • FCI-InGaAs-300WCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-300WCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD35-0 光电二极管

    OSD35-0

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 46 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-0是波长范围为900 nm、电容为46 PF、暗电流为12 nA、响应度/光敏度为0.54 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关OSD35-0的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD100-0A 光电二极管

    OSD100-0A

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-2 光电二极管

    DLS-2

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08μs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-005E-550F 光电二极管

    PIN-005E-550F

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 响应度/光敏度: 0.23 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-005E-550F是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为200 PF，响应度/光敏度为0.23 A/W，上升时间为0.1μs.有关PIN-005E-550F的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-120C-XX-XX 光电二极管

    FCI-InGaAs-120C-XX-XX

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120C-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。