研究目的
研究采用石墨烯叉指电极提升Ga?O?:Zn深紫外光电导探测器灵敏度的方法。
研究成果
该研究成功证明了采用石墨烯叉指电极可提升Ga2O3:Zn深紫外光电探测器性能。器件展现出极低的暗电流、高光电比及令人满意的响应度，表明其具有实际应用潜力。这种定制石墨烯电极的方法也有助于推动基于石墨烯的器件发展。
研究不足
该研究聚焦于单一器件结构的制备与表征。该方法在阵列化光电探测器中的可扩展性及集成应用尚未深入探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用锌掺杂氧化镓（Zn:Ga?O?）薄膜与石墨烯叉指电极制备深紫外光电探测器，并开发了多步法精确构建石墨烯叉指电极结构。
2：样本选择与数据来源：
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在c面蓝宝石衬底上外延生长Zn:Ga?O?薄膜，将石墨烯先转移至二氧化硅表面再转印至Zn:Ga?O?薄膜。
3：实验设备与材料清单：
主要设备包括用于薄膜生长的MOCVD、图案化的光刻工艺及石墨烯裁剪的等离子体刻蚀系统；材料包含石墨烯、Zn:Ga?O?薄膜及钛/金（Ti/Au）电极。
4：实验流程与操作步骤：
依次进行石墨烯转移、电极制备及器件表征。
5：数据分析方法：
测量并分析了暗电流、光电导增益比及响应度等性能参数。
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