研究目的
为了表征FBK NUV-HD硅光电倍增管在增益和信噪比方面的性能，以用于切伦科夫望远镜阵列的pSCT相机，并比较不同衬底器件的表现以选择最合适的传感器。
研究成果
NUV-HD3硅光电倍增管适用于pSCT相机，其矩阵在增益和信噪比方面表现出一致性?；诳捎眯院托阅苎≡窳薍D3-2和HD3-3型号，共选定36个矩阵进行集成。研究证实了组装工艺的质量，并支持将这些传感器用于伽马射线天文学，同时建议未来开展全系统集成和现场测试工作。
研究不足
该研究仅限于特定的SiPM变体（HD3-1、HD3-2、HD3-3），可能无法推广至其他设备。表征聚焦于受控实验室条件下的增益和信噪比，可能无法完全体现CTA等实地应用中的性能表现。优化方向包括HD3-2基底潜在的噪声问题，以及需要在真实观测场景中进一步测试。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用专用电子学系统对硅光电倍增管（SiPM）进行表征，包括跨阻前置放大器、增益级和整形级以实现信号恢复。测量覆盖1-2V至13-14V的过压范围（OV）。
2：样本选择与数据来源：
SiPM样本来自FBK公司NUV-HD3代产品，具体为6×6mm2尺寸、40×40μm2单元的器件，包含三种硅衬底变体（HD3-1、HD3-2、HD3-3）。数据通过380nm激光照射器件采集。
3：HD3-HD3-3）。数据通过380nm激光照射器件采集。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括380nm激光器、跨阻前置放大器、增益级、整形级、用于电荷测量的CAEN V792 QDC以及16通道前端电子学系统（FEE）进行信号放大。材料为SiPM器件本身。
4：实验流程与操作规范：
器件偏置电压设定为31V至36V；测量电荷分布并通过数据计算增益与信噪比（SNR）。矩阵测试中，使用DAQ系统以固定30ns积分时间照射并测量超过50个4×4矩阵。
5：数据分析方法：
通过拟合电荷分布推导单光电子（p.e.）积分电荷量及SNR（定义为第一光电子峰均值与基线均值之差除以基线标准差）。对平均性能进行了统计分析。
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SiPM
NUV-HD3 6x6 mm2 with 40x40 μm2 cells
FBK (Fondazione Bruno Kessler)
Detection of near-ultraviolet Cherenkov light from gamma-ray showers, used as photodetectors in the pSCT camera.
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Laser
Emitting at 380 nm
Illumination of SiPM devices for performance testing.
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QDC
CAEN V792
CAEN
Measurement of charge signals from SiPMs with fixed integration time.
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FEE
16-channel FEE
Amplification and shaping of SiPM signals to match QDC dynamic range.
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ASIC
TARGET-7
Signal digitization and internal trigger generation in the pSCT camera read-out.
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